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在我們實際的應(yīng)用當(dāng)中流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是流行最常見的元器件,但是在一些相對較高電流的應(yīng)用場景中有時還是會受到限制。這個時候,我們的IGBT就派上用場了。那什么是IGBT呢?IGBT的作用是什么呢?IGBT的工作原理、優(yōu)缺點又有哪些呢?這次我們來好好了解一下什么是IGBT!
一:什么是IGBT?
所謂IGBT 其實便是絕緣柵雙極晶體管的一種簡稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)的器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)的場景中。通常主要用于放大器以及一些通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。
為了方便理解,我們可以把IGBT看作我們很熟悉的BJT和MOS管的融合體。所以,不難看出,IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。但是與BJT或MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管IGBT的優(yōu)勢便在于它提供了一個比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高的工作電壓和更低的MOS管輸入損耗。所以,IGBT往往有著更好的工作特性。
就像上面說的 IGBT 是 BJT 和 MOS管的融合集成體,所以IGBT 的符號也代表相同。如下圖所示:可以看到輸入側(cè)代表具有柵子的 MOS管,輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的 BJT。集電極和發(fā)射極是導(dǎo)通端子,柵極是控制開關(guān)操作的控制端子。
IGBT的電路符號與等效電路圖
二:IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)
為了更好了解IGBT,下面我們再來看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實就相當(dāng)于是一個四層半導(dǎo)體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實現(xiàn)的,它們構(gòu)成了 P-N-P-N 排列。如下圖所示,小編簡單繪制了一下IGBT的一個內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
三:IGBT工作原理
現(xiàn)在我們來談?wù)処GBT的一個工作原理,其實很簡單,與我們熟悉的 BJT 、MOS管類似:
IGBT 的工作原理其實是通過不斷激活和停用其柵子來開啟、關(guān)閉實現(xiàn)的。
如果正輸入的電壓通過柵極,發(fā)射器就會保持驅(qū)動電路開啟。另一方面,如果 IGBT 的柵的電壓為零或者為負時,則就會關(guān)閉電路應(yīng)用。
正如我們所了解的,由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管,因此它實現(xiàn)的放大量是其輸出信號和控制輸入信號之間的比率,這也是我們?yōu)槭裁丛谝恍┫鄬^高電流的應(yīng)用場景中往往選用IGBT的一個主要原因。
下面我們詳細做一個對比:相對于傳統(tǒng)的 BJT,我們知道增益量與輸出電流與輸入電流的比率大致相同,我們可以將其稱為 Beta 并表示為 β。
對于 MOS管,由于沒有輸入電流,所以柵子是主通道承載電流的隔離。通常我們是通過將輸出電流變化除以輸入電壓變化來確定 IGBT 的增益。
小編繪制了一張圖,可以很好地解釋IGBT的工作原理,描述IGBT整個器件工作范圍,如下圖所示:
IGBT的優(yōu)缺點
既然IGBT作為一個兼有BJT和MOS管的整體,所以往往它的優(yōu)缺點其實也非常明顯,下面我給大家羅列一下IGBT常見的優(yōu)缺點。
優(yōu)點:
1、具有更高的電壓和電流處理能力。
2、高的輸入阻抗。
3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。
4、電壓控制裝置,即它沒有輸入電流和低輸入損耗。
5、柵極驅(qū)動電路簡單且便宜,降低了柵極驅(qū)動的要求
6、通過施加正電壓可以很容易地打開它,通過施加零電壓或稍微負電壓可以很容易地關(guān)閉它。
7、具有非常低的導(dǎo)通電阻。
8、具有高電流密度,使其能夠具有更小的芯片尺寸。
9、具有比BJT和MOS管更高的功率增益。
10、具有比BJT更高的開關(guān)速度。
11、可以使用低控制電壓切換高電流電平。
12、雙極性質(zhì),增強了傳導(dǎo)性。
13、安全可靠。
缺點:
1、開關(guān)速度低于MOS管。
2、因為是單向的,在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形。
3、不能阻擋更高的反向電壓。
4、比BJT和MOS管價格更高。
5、類似于晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu),因此它存在鎖存問題。
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