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IGBT功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)，整機(jī)可以測(cè)試5個(gè)元件，5個(gè)元件串聯(lián)一起組成一組。試驗(yàn)過(guò)程中的開(kāi)通關(guān)斷以及恒流是通過(guò)大功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)。相比直接的電子開(kāi)關(guān)控制開(kāi)通關(guān)斷，電子負(fù)載可以實(shí)現(xiàn)更精確的恒流。更快速的開(kāi)通及關(guān)斷。

IGBT高溫高濕反偏試驗(yàn)系統(tǒng)，允許在一臺(tái)設(shè)備上完成HTGB/HTRB/H3TRB/HT/THB五種不同的試驗(yàn)。大地提高了設(shè)備綜合利用率，并減少了采購(gòu)成本、實(shí)驗(yàn)室緊張的占地空間和老化試驗(yàn)的所需人力、大量電力。

IGBT老化房

IGBT動(dòng)/靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

IGBT模塊可靠性試驗(yàn)設(shè)備

IGBT模塊試驗(yàn)設(shè)備