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IGBT模塊試驗(yàn)設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-09-19
訪問(wèn)次數(shù):1327
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 | 型號(hào) | VR - HTGB |
IGBT模塊試驗(yàn)設(shè)備
功率循環(huán)試驗(yàn)、高溫反偏試驗(yàn)、高溫極限試驗(yàn)、高溫工作壽命試驗(yàn)、低溫工作壽命試驗(yàn)、高溫貯存試驗(yàn)、低溫貯存試驗(yàn)、高溫高濕試驗(yàn)、高低溫循環(huán)試驗(yàn)、高加速應(yīng)力試驗(yàn)、恒定濕熱試驗(yàn),交變濕熱試驗(yàn)等。
檢測(cè)產(chǎn)品涵蓋:
小功率IGBT模塊、中功率IGBT模塊、大功率IGBT模塊、SMD器件、半導(dǎo)體器件等。
對(duì)于IGBT過(guò)流保護(hù)的措施:
對(duì)于小功率IGBT模塊,通常采用直接串電阻的方法來(lái)檢測(cè)器件輸出電流,從而判斷過(guò)電流故障,通過(guò)電阻檢測(cè)時(shí),無(wú)延遲;輸出電路簡(jiǎn)單;成本低;但檢測(cè)電路與主電路不隔離,檢測(cè)電阻上有功耗,因此,只適合小功率IGBT模塊。比如:5.5KW以下的變頻器。
對(duì)于中功率IGBT模塊的電流檢測(cè)與過(guò)流、短路保護(hù),一種方法是仍然采用電阻檢測(cè)法,為了降低電阻產(chǎn)生功耗及發(fā)熱生產(chǎn)的影響,可把帶散熱器件的取樣電阻固定在散熱器上,以測(cè)量更大的電流。
對(duì)于大功率IGBT模塊的電流檢測(cè)與過(guò)流保護(hù)常采用電流傳感器。但需注意要選擇滿足響應(yīng)速度要求的電流傳感器。由于需要配置檢測(cè)電源,成本較高,但檢測(cè)電路與主電路隔離,適用于大功率的IGBT模塊。保護(hù)電路動(dòng)作的時(shí)間須在10us之內(nèi)完成。
可靠性實(shí)驗(yàn)室第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、高低溫、潮濕、可靠性溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國(guó)內(nèi)軌道交通、電工電子、儀器儀表、風(fēng)力發(fā)電、科研院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。